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單晶材料晶體生長是發生在狀態臨界界面上

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單晶材料晶體生長是發生在狀態臨界界面上

發布日期:2018-06-21 20:18 來源:http://www.fjulhl.icu 點擊:

  因為熔體溫度高于材料熔點,而要生長單晶,籽晶浸入部分又不能融化(只能軟化),所以要求溫度滿足低于材料熔點。單晶材料這要在熔體與晶核之間界面處形成一定的溫度梯度,從熔體到晶體,溫度以一定趨勢降低。

  單晶定向晶體生長是發生在固-液(或晶-液)界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態,絕大部分熔體處于過熱態(溫度高于Te )。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。藍寶石晶體定向這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體,并由其轉出。綜述了當前難熔金屬單晶制備的技術現狀,介紹了難熔金屬單晶技術進展,并對難熔金屬合金單晶前景進行了展望。

  緩慢向熔體下降,避免熱沖擊,降至離熔體0.5~1mm處,等待1小時,待籽晶與熔體溫度相近時,開始引頸。引頸的過程須要進行“縮頸”,以減少籽晶的位錯向晶體的擴展。放肩:經“縮頸”一定長度后,開始緩慢放肩,要獲得高品質的單晶,放肩的角度要小,肩型要緩,放肩角小于60度為好。采用流延成型和陶瓷燒結技術可以克服單晶鍵合技術的缺陷,實現平面波導結構激光陶瓷的制備。


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