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單晶定向中的用解理法進行激光軸直接定向

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單晶定向中的用解理法進行激光軸直接定向

發布日期:2019-09-06 00:00 來源:http://www.fjulhl.icu 點擊:

硅單晶定向將待測晶錠一端先磨成錐形,在盛有80#金剛砂的研缽中研磨,使錐形端面解理出許多微小的解理面,這些解理面都是按一定的晶向解理出來的,因而包含著結晶學構造中的各種方向特征。對于硅單晶一類的金剛石結構,其一解理面,這是由于這個晶面族之間的原子間距長,引力小,容易在外力作用下解理出來。

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由于解理法前處理工藝,在晶錠端面上產生的一系列解理圖中,僅有少數幾個解理面符合晶軸的軸對稱要求,因而從這幾個解理面上反射出來的特征圖就顯得比較暗淡,降低了定向精度,但這種方法有優點,由于晶錠頭部磨成錐形,得以在大角度范圍內尋找與被測晶軸對應的特征反射面,而不受晶軸幾何軸與被測晶軸偏離角大時限制。

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須指出,用金相腐蝕法和解理法產生的特征光圖是有根本區別的。首先是在反射的方向上,由于腐蝕坑是凹的,反射光的方向“前傾”,因此只要在單晶材料晶體端面的前面放置一平面光屏,就可以接收各條反射光所構成的特征光圖。對于解理法在晶錠錐形頭部上產生的一系列解理面,由于它們相互間所構成的夾角是凸的,因此反射光的方向是“后傾”,接收這樣的反射光須用凹面的錐形光屏。?


故反射光方向垂直于入射光方向。可以看出:只有當待測晶錠的頭部伸入到錐形光屏的凹部,才能在光屏上顯示出特征光圖來。認識這二種不同的前處理工藝所導致不同的反射光方向的規律,對于晶軸定向是十分重要的。從腐蝕坑側面上反射出來的反射光射向晶軸的另一側,因此特征光圖上三個光瓣所指的方向,恰恰就是腐蝕三個頂角所指的方向,而解理面所產生的特征光圖則與之相反。?


兩種不同的前處理工藝產生的特征光圖的另一個區別是解理法產生的光圖其光斑是點狀的,這是由于其反射面為鏡面狀的解理面所致,而腐蝕坑所產生的反射光斑則是花瓣狀的。如腐蝕過頭甚至呈線狀。后者表明腐蝕坑的側面實際上不是屬于單一結晶學指數的晶面平面,而是呈臺階型,造成臺階的兩個晶面。


碳化硅定向

相關標簽:單晶材料,碳化硅定向,硅單晶定向

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