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公司新聞

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  • 丹東新東方晶體儀器有限公司喜迎國慶、中秋

    丹東新東方晶體儀器有限公司成立于1993年,是一家專注于生產X射線定向儀的專業企業。自公司成立20年以來,為單晶材料生長、加工企業提供了數千臺定向儀器,積累了豐富的生產、服務經驗。產品出口到臺灣、韓國、日本、俄羅斯等地區。在藍寶石晶體加工行
    發布時間:2020-09-30   點擊次數:8

  • 硅單晶定向分析儀會產生輻射嗎?

    單晶定向首先,X射線熒光分析儀自身已帶有X射線熒光分析儀的屏蔽裝置,如防護鉛板和鉛玻璃,其次,管頭有關閘或許防護罩,首要照耀面是密不透風的。至于漏散的有些計量相對于照耀面更小,且波長變長。對人體的損害更小了。假如仍是不放心的話,單位有關設備
    發布時間:2020-09-16   點擊次數:8

  • 單晶定向在水泥工業生產中起到重要作用

    單晶定向X射線晶體分析儀光譜作為慣例剖析手段,始于20世紀50時代,閱歷了50年的開展,現已變成物質組成剖析的辦法之一。X射線晶體分析儀是一種先進的儀器剖析辦法,近一二十年來,跟著科學技能和計算機技能的開展,這種剖析辦法得到日益廣泛的運用。
    發布時間:2020-09-03   點擊次數:5

  • 藍寶石晶體定向的波長有什么特性?

    藍寶石晶體定向的發現在人類歷史上具有重要的意義,它為自然科學和醫學開辟了一條嶄新的道路,為此1901年倫琴榮獲物理學諾貝爾獎金。它的波長比可見光的波長更短(約在0.001~100nm,醫學上應用的X射線波長約在0.001。~0.1nm之間)
    發布時間:2020-08-12   點擊次數:8

  • 單晶硅材料點缺陷包括哪些特點

    點缺陷:單晶材料點缺陷包括空位、間隙原子和微缺陷等。空位、間隙原子:點缺陷包括熱點缺陷(本征點缺陷)和雜質點缺陷(非本征點缺陷)。1、熱點缺陷其中熱點缺陷有兩種基本形式:弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷。單晶中空位和間隙原子在熱平衡時的濃度與溫度有
    發布時間:2020-07-31   點擊次數:51

  • 半導體單晶定向光學法的使用

    目前,半導體的單晶定向研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的
    發布時間:2020-06-12   點擊次數:103

  • 單晶定向材料的優點和不足有哪些

    單晶定向材料其優點是:(1)碳化硅單載流子器件漂移區薄,開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。(3)碳化硅有高的熱導率,因此碳化硅
    發布時間:2020-05-29   點擊次數:128

  • 單晶硅片行業近幾年新增產能

    近2-3年,由于單晶Perc電池產業鏈成熟、技術指標不斷超預期所帶來的效率和性價比優勢,帶動電池片廠商紛紛升級和加碼單晶Perc產能,包括對原有單晶電池產線的Perc化升級和新增單晶材料Perc電池產能。2017-2018年是原有單晶電池產
    發布時間:2020-05-11   點擊次數:123

  • 硅單晶材料多型缺陷有什么影響

    提高硅晶體質量,就意味著必須降低晶體中得缺陷,正如單晶材料設備廠家所說,PVT法生長硅單晶需要控制的工藝參數較多,并且這些參數在生長過程中不斷發生變化,所以對晶體中的缺陷控制比較困難。硅單晶的缺陷主要包括微管、多型、位錯、層錯和小角晶界等。
    發布時間:2020-04-16   點擊次數:41

  • 半導體碳化硅單晶高溫化學氣相沉積法

    通常半導體單晶材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達到這
    發布時間:2020-04-04   點擊次數:85

  • 碳化硅單晶的結構和性質

    SiC晶體結構具有同質多型的特點,其基本結構是Si-C四面體結構,它是由四個Si原子形成的四面體包圍一個碳原子組成,按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍,屬于密堆積結構。SiC多型晶體的晶格常數a可以看作常數,而晶格常數c不同
    發布時間:2020-03-17   點擊次數:46

  • 半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

    半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
    發布時間:2020-03-04   點擊次數:185

  • 單晶定向和切割操作實施辦法

    首先對被測晶體進行初步評價,用XRD常規θ/2θ掃描。理想單晶是光斑所照射的塊狀平面僅出現一種晶面的衍射峰,或者根本掃不到峰。僅有一個很強的主晶粒峰,只是取向有微小差異的,即有晶體缺陷的,可稱為準單晶。否則,就是多晶,但多晶概念太廣泛,有僅
    發布時間:2020-02-17   點擊次數:78

  • 丹東新東方晶體儀器祝大家元旦快樂!

      元旦將至,新年初始,需活動拇指。多發短信至親朋好友以通經脈暖氣血,此乃利國民身心健康之大計也。在這個溫馨幸福快樂美好的時刻,特別的祝福送給特別的你,祝元旦快樂,事事如意!丹東新東方祝新老客戶元旦快樂!丹東新東方晶體儀器有限公司成立于19
    發布時間:2019-12-31   點擊次數:164

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