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  • 單晶硅:光伏中利潤豐厚環節

    光伏單晶硅:受益“行業增長+占比提升”雙重因素,有望大幅增長。根據中國光伏行業協會統計,2019年中國硅片產量約為135GW,同比增長26%。全球前十大硅片生產企業均位居中國大陸。中國硅片市場一定程度上基本代表了全球市場。單晶材料產品因其具
    發布時間:2020-07-23   點擊次數:4

  • 單晶材料硅中可能出現的缺陷

    單晶硅缺陷,是對于晶體的周期性對稱的破壞,使得實際的單晶材料晶體偏離了理想晶體的晶體結構。在各種缺陷之中,有著多種分類方式,如果按照缺陷的維度,可以分為以下幾種缺陷:點缺陷:在晶體學中,點缺陷是指在三維尺度上都很小的,不超過幾個原子直徑的缺
    發布時間:2020-07-16   點擊次數:26

  • 硅單晶定向的單晶材料介紹

    硅單晶材料在我們的生活中處處可見,“硅”的身影和作用,晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化快的。晶體生長是發生在固-液(或晶-液)界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態,絕大部分熔體處于過熱態(溫度高于Te
    發布時間:2020-07-09   點擊次數:34

  • 定向凝固法生長硅晶體時結晶成核的一種方法

    硅單晶和硅多晶鑄錠是晶體硅太陽能電池常用的材料。通常,使用硅單晶材料制造的太陽能電池比使用硅多晶材料制造的太陽能電池具有更高的光電傳換效率。當采用硅多晶制造太陽能電池時,硅多晶的結晶顆粒越大,則制造的太陽能電池效率越高。目前,采用定向凝固法
    發布時間:2020-07-03   點擊次數:26

  • 單晶定向儀在目前晶體切割加工中的作用

    在X射線定向儀器設備自動化程度迅速提高的今天,國產單晶定向儀器雖算不上高精度自動化儀器,但它在實際工作中發揮很大的作用.在以往的應用中,人們只利用它的一種功能一測定已知晶面與某結晶面的偏差。這種測偏工作只能先用X射線單晶儀照勞厄相或定向生長
    發布時間:2020-06-28   點擊次數:16

  • 基于碳化硅單晶定向的可以監測柔性電子器件

    軟光刻和印刷技術的進展促進了可拉伸和可彎曲電子產品的開發方面巨大發展,相對傳統硬質的平臺提供了更多的新的令人興奮的功能性。一系列的柔性應用已經從基礎研究轉變為商業化產品,包括可彎折顯示器,用于跟蹤生物數據的智能手表和可穿戴的紫外劑量計。盡管
    發布時間:2020-06-19   點擊次數:80

  • 單晶材料檢測,項目、標準這里都有

    單晶材料分為天然晶體和人工晶體,隨著技術的發展,目前天然晶體已經不能滿足人們的需求,于是各種人工單晶材料就被相繼開發出來。單晶材料被廣泛用于電子工業、半導體工業、光學工業、機械加工業、鐘表行業、超聲及壓電技術等領域。所以單晶材料檢測在這些行
    發布時間:2020-06-05   點擊次數:34

  • 碳化硅定向材料有哪些特征

    碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半導體材料,也是元素周期表中V族元素中一種固態碳化物單晶材料。SiC由碳原子和硅原子組成,但其晶體結構具有同質多型體的特點。在半導體領域常用的是4H-SiC和6H-SiC兩種,SiC與其它半導體材料具有相
    發布時間:2020-05-18   點擊次數:31

  • 2020年單晶硅片材料行業市占率預計能有多少

    晶硅光伏電池體系主要分為單晶和多晶。單晶通過旋轉提拉的工藝將多晶硅料制成單晶硅棒(長晶工藝首先制成圓棒,再通過切方制成方棒),多晶通過鑄錠工藝將多晶硅料制成多晶硅錠,硅棒/硅錠再通過切片工序分別制成單晶/多晶硅片。單晶材料由于內部原子排列有
    發布時間:2020-05-06   點擊次數:51

  • 半導體碳化硅單晶激光定向

    目前,半導體的研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的法向生長
    發布時間:2020-04-29   點擊次數:41

  • 小角晶界對單晶材料的影響有哪些

    在單晶材料硅晶體生長過程中,由于氣相組分過飽和使晶坯邊緣進行擇優生長,從而產生了偏離籽晶方向的晶格失配區域,在晶格失配區域,不同晶向的晶粒之間形成晶界。晶界通常由擴展邊緣和螺旋位錯構成,并貫穿整個晶錠,這對器件結構是致命的。靠近晶體邊緣的小
    發布時間:2020-04-20   點擊次數:30

  • 碳化硅單晶的微管缺陷

    微管缺陷嚴重阻礙了多種SiC單晶定向器件的商業化,被稱為SiC器件的“殺手型”缺陷。大多數關于微管缺陷形成機制的討論都是基于微管與大伯格斯矢量超螺形位錯相結合的Frank理論。生長過程中,沿超螺旋位錯核心方向的高應變能密度會導致該處優先升華
    發布時間:2020-04-09   點擊次數:61

  • 碳化硅物理氣相傳輸法

    PVT法生長SiC單晶材料一般采用感應加熱方式,在真空下或惰性氣體氣氛保護的石墨坩堝中,以高純SiC粉為原料,在一定的溫度和壓力下,固態SiC粉在高溫下發生分解升華,生成具有一定結構形態的氣相組分SimCn,由于石墨坩堝反應腔軸向存在著溫度
    發布時間:2020-03-24   點擊次數:47

  • 半導體碳化硅單晶材料如何被獲得的

    SiC是最早發現的半導體材料之一,自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來,SiC單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年,Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
    發布時間:2020-03-12   點擊次數:34

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