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  • 碳化硅單晶的微管缺陷

    微管缺陷嚴重阻礙了多種SiC單晶定向器件的商業化,被稱為SiC器件的“殺手型”缺陷。大多數關于微管缺陷形成機制的討論都是基于微管與大伯格斯矢量超螺形位錯相結合的Frank理論。生長過程中,沿超螺旋位錯核心方向的高應變能密度會導致該處優先升華
    發布時間:2020-04-09   點擊次數:160

  • 碳化硅物理氣相傳輸法

    PVT法生長SiC單晶材料一般采用感應加熱方式,在真空下或惰性氣體氣氛保護的石墨坩堝中,以高純SiC粉為原料,在一定的溫度和壓力下,固態SiC粉在高溫下發生分解升華,生成具有一定結構形態的氣相組分SimCn,由于石墨坩堝反應腔軸向存在著溫度
    發布時間:2020-03-24   點擊次數:100

  • 半導體碳化硅單晶材料如何被獲得的

    SiC是最早發現的半導體材料之一,自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來,SiC單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年,Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
    發布時間:2020-03-12   點擊次數:36

  • x射線單晶定向儀和多晶有什么區別?

    單晶定向儀主要用于測定單個純物質的晶體結構,對于已知結構,可以進行精修,對于未知結構,可以鑒定結構。要求所測的樣品為塊狀單晶。一般在表征新化合物時,建議用單晶定向儀,測量一個單晶體需要一到兩天,解析一個單晶可能要花費更多的時間。另外,培養單
    發布時間:2020-02-24   點擊次數:61

  • 多孔碳化硅定向陶瓷的無模高溫結晶制備工藝

    多孔陶瓷是一種含有一定量孔隙的非金屬固體粉末燒結體,用途十分廣泛。定向多孔碳化硅陶瓷是多孔陶瓷中的一種,因具有高過濾效率和高分離效率及優異的光電性能而備受關注。良好的碳化硅粉末堆積密度是制備高質量碳化硅陶瓷基礎之一,本文引入土力土質學中關于
    發布時間:2020-02-10   點擊次數:115

  • 幾種材料性能和結構對比,來展示單晶材料的優缺點

    隨著新能源行業的不斷發展,人們對動力電池的要求也越來越高,隨之而來的三元材料中鎳含量的提升,但由此帶來的正極材料穩定性問題、電解液匹配問題、大電流充電溫升過高等引發的電池失效也越來越受到人們的關注,因此,單晶材料應運而生,不僅僅增強了正極材
    發布時間:2020-01-15   點擊次數:166

  • 現階段單晶材料企業面臨哪些問題

    單晶材料行業作為半導體產業的直接上游,是半導體行業技術進步并不斷發展的基石。近年來,隨著半導體行業向高質量發展轉變,半導體級單晶硅材料行業對市場參與者的研發能力、生產能力及品質管控能力均提出了很高的要求,而缺乏高素質的研發人員和有經驗的生產
    發布時間:2020-01-06   點擊次數:69

  • 單晶硅與多晶硅的區別簡介

    光伏太陽能電池板分為單晶、多晶和非晶硅,現在大多數單晶定向主要以單晶和多晶為材料。那么單晶硅與多晶硅有什么區別呢?單晶(monocrystal,monocrystalline,singlecrystal),即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規
    發布時間:2019-12-23   點擊次數:193

  • 化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

    從實驗可知,用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好,得到的腐蝕圖像清晰、準確。且最佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來,單晶材料晶體生
    發布時間:2019-12-09   點擊次數:39

  • 單晶定向用NaOH對藍寶石進行化學腐蝕法試驗

    半導體晶體的內在質量、晶體缺陷、雜質濃度等直接關系到外延層和器件的質量及成品率。準確地顯示出晶體缺陷、研究其形成機理和控制及消除技術對制備高質量晶體是非常重要的。單晶定向主要研究了用化學腐蝕的方法顯示藍寶石單晶的位錯缺陷的條件,為提高晶體質
    發布時間:2019-11-25   點擊次數:45

  • 化學腐蝕法研究藍寶石晶體定向中的位錯缺陷

    為了適應工業化藍寶石晶體定向的需求目前采用人工方法制備藍寶石晶體則成為獲得大直徑、高完整性和按要求晶面生長單晶的主要方法。藍寶石晶體的生長方法主要有:熔焰法Verneuil、提拉法(CZ法)、導膜法(EFG法)、感應溫場上移法(1FUS法)
    發布時間:2019-11-11   點擊次數:96

  • 硅單晶定向中晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題

    硅晶片內的氧通過捕捉在裝置生產過程中混入晶片內的污染原子(內在的吸氣作用)而具有改良器件特性的作用。所以,應將晶體定徑部分(crystalfixeddiameterpart)整個區域內硅單晶中的氧濃度限制在給定的范圍內。混入硅單晶內的
    發布時間:2019-10-21   點擊次數:101

  • X射線定向儀單晶定向原理是什么?

    x射線的波長和晶體內部原子面之間的間距相近,晶體可以作為X射線的空間衍射光柵,即一束X射線照射到物體上時,受到物體中原子的散射,每個原子都產生散射波,這些波互相干涉,結果就產生衍射。衍射波疊加的結果使射線的強度在某些方向上加強,在其他方向上
    發布時間:2019-10-15   點擊次數:310

  • 硅單晶定向中的單晶硅與多晶硅的區別

    硅是地球上儲藏豐富的材料之一,從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性后,它幾乎改變了一切,甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始,硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料,因其具有耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用多
    發布時間:2019-10-08   點擊次數:59

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